Materi Elektronika Depletion type MOSFETs 6.5
1. Tujuan [kembali]
- Untuk menyelesaikan tugas elektronika yg diberi oleh bapak Darwison,M.t
- Untuk lebih memahami materi Depletion-Type MOSFETs
A. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B).
B. Ground
Grounding listrik adalah suatu sistem instalasi listrik yang bisa meniadakan beda potensial sebagai pelepasan muatan listrik berlebih pada suatu instalasi listrik dengan cara mengalirkannya ke tanah sehingga istilah sehari hari yang sering digunakan yaitu pentanahan atau arde. Cara kerja sensor pir adalah ketika tangan berada di depan sensor maka sensor akan menangkap pancara sinar inframerah pasif yang berada pada tangan dengan suhu yang berbeda dengan suhu lingkungan sekitarnya menyebab material pyroelectric bereaksi menghasilkan arus listrik karena adanya energi.
C. Resistor
Resistor merupakan komponen elektronik yang memiliki dua pin dan didesain untuk mengatur tegangan listrik dan arus listrik. Resistor mempunyai nilai resistansi (tahanan) tertentu yang dapat memproduksi tegangan listrik di antara kedua pin dimana nilai tegangan terhadap resistansi tersebut berbanding lurus dengan arus yang mengalir, berdasarkan persamaan hukum Ohm
D. Battery Cell
Baterai adalah perangkat yang terdiri dari satu atau lebih sel elektrokimia dengan koneksi eksternal yang disediakan untuk memberi daya pada perangkat listrik seperti senter, ponsel, dan mobil listrik
E. Kapasitor
Kondensator atau kapasitor adalah komponen listrik yang digunakan untuk menyimpan muatan listrik. Bahan penyusun kapasitor yaitu dua keping atau dua lembaran penghantar listrik yang dipisahkan menggunakan isolator listrik berupa bahan dielektrik.
F. Volt Meter
Voltmeter adalah sebuah alat ukur yang biasa digunakan untuk mengukur besar tegangan listrik yang ada dalam sebuah rangkaian listrik.
Kesamaan dalam penampilan antara transfer JFETs dan MOSFETs depletiontype memungkinkan analisis serupa masing-masing di domain dc. Perbedaan utama antara keduanya adalah MOSFETs tipe depletion beroperasian dengan nilai positif VGS dan tingkat ID yang melebihi IDSS.
Untuk sebagian besar situasi, rentang yang diperlukan ini akan didefinisikan dengan cukup baik oleh parameter MOSFET dan menghasilkan garis bias jaringan. Beberapa contoh akan mengungkapkan dampak perubahan perangkat pada analisis yang dihasilkan.
4. Example [kembali]
Contoh 1
JAWABAN :
(b) Eq. (6.19): Vps = Vdd - Id (Rd+Rs)Untuk MOSFET tipe deplesi saluran-n dari Gambar 6.29, tentukan: (a) Idq dan Vgsq. (B) Vds.
(a) Untuk karakteristik transfer, titik plot didefinisikan oleh Id=Idss / 4=6 mA / 4=1,5 mA dan
Vgs= Vp / 2 = -3 V / 2 = -1,5 V. Mempertimbangkan tingkat Vp dan fakta bahwa Persamaan Shockley mendefinisikan kurva yang naik lebih cepat karena Vgs menjadi lebih positif, titik plot akan ditentukan pada Vgs= +1 V. Mengganti ke dalam hasil persamaan Shockley
Kurva transfer yang dihasilkan muncul pada Gambar 6.30. Melanjutkan seperti yang dijelaskan untuk JFET, memiliki:
= 18 V - (3.1 mA) (1.8 kohm + 750 ohm )
= 10.1 V
Contoh 2
Ulangi example 1 dengan Rs = 150 ohm
Jawaban :
(a) Poin plot sama untuk kurva transfer seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6.31. Untuk garis bias,
Atur Id = 0 mA, menghasilkan
Garis bias disertakan pada Gambar 6.31. Perhatikan dalam hal ini bahwa titik diam menghasilkan arus pembuangan yang melebihi IDSS, dengan nilai positif untuk VGS. Hasil:
= 18 V - (7.6 mA)(1.8 kohm + 150 ohm)
= 3.18 V
5. Problem [kembali]
1. Tentukan yang berikut untuk jaringan Gambar 6.32.
(a) IDQ dan VGSQ. 
(a) Konfigurasi bias sendiri menghasilkan Vgs = - Idrs seperti yang diperoleh untuk konfigurasi JFET, menetapkan fakta bahwa VGS harus kurang dari nol volt. Oleh karena itu tidak ada persyaratan untuk memetakan kurva transfer untuk nilai-nilai positif VGS, meskipun itu dilakukan pada kesempatan ini untuk melengkapi karakteristik transfer. Titik plot untuk karakteristik transfer untuk VGS < 0 V adalah
2. Tentukan Vds Untuk rangkaian berikut
6. Pilihan Ganda [kembali]
1. Suаtu rаngkаіаn реnguаt ѕаtu tіngkаt dеngаn bіаѕ bаѕіѕ mеmрunуаі data раrаmеtеr-раrаmеtеr sebagai berikut:
Vcc = 5/2 VBB
RL = 100 Kohm
RL = 2,2 Kohm
VBB = 4 volt
RC = 1 Kohm
RS = 0,4 ohm
βDC = 80
VBE = 0,72 V
Vin = 30 mV
Jawab :
Tentukan IB. IC, αdc dan VCE
VBB = RB x IB + VBE
4 = 100 Kohm x IB + 0,72
4 – 0,72 = 100 Kohm x IB
3,28 = 100 Kohm x IB
IB = 3,28 / 100.000
IB =3,28 x 10-5A
βDC = IC / IB
80 = IC / 3,28 x 10-5
IC = 262,4 x 10-5A
VCC = IC x RC + VCE
10 = 262,4 x 10-5 x 1 Kohm + VCE
10 – 2,624 = VCE
VCE = 7,376 Volt
2. Cari Ic Saturasi dan VCE
IC saturasi dan VCE cut off
IC saturasi = VCC / RC
IC saturasi = 10 / 1000
IC saturasi = 0,01 A
VCE cut off = VCC = 10 V
7. Prosedur Percobaan [kembali]
1. Prosedur Perakitan
- Siapkan alat dan bahan pada library proteus berupa Resistor,Dioda dan Battery
- letakan alat dan bahan tadi pada papan rangkaian di proteus
- selanjutnya hubungkan setiap komponen pada rangkaian dengan kabel,jangan sampai salah karena jika salah maka rangkaian tidak akan bisa berjalan dengan semestinya.
- selanjutnya ubah Baterai sesuai kebutuhan untuk pengujian.
- setelah itu tinggal mengetes rangakaian di proteus.
8. Rangkaian Simulasi [kembali]
1.Foto Rangkaian
Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada kondisi maksimum. Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi pada channel menurun.
9. Video [kembali]
1. Donwload Simulasi Proteus 1 : Klik disini..
2. Download Gambar Rangkaian 1 : Klik disini..
3. Download Video rangkaian 1 : Klik disini..
4. Download HTML : Klik disini..
5. Datasheet Resistor :Klik disini..
Tidak ada komentar:
Posting Komentar